%0 Journal Article
%T 基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.4GHz功率放大器
%A 郝明丽
%A 石寅
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文报道了基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.4GHz功率放大器的设计。为了降低PCB上的寄生效应，提高电路稳定性和增益，设计了带台面的金属板使芯片通过台面接地而避免通过PCB过孔接地。另外，输出匹配网络中采用了低通匹配形式，提高了电路的线性度和功率输出能力。在2.4GHz，测得1dB压缩点输出功率为15.7dBm，线性增益为27.6dB，S11和S22分别低于-7dB和-15dB。
%K 2.4GHz
%K 功率放大器
%K SiGe
%K BiCMOS
%K 寄生
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4840D78A43420031A14A89D5EAA21435&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=053CF5B83DF02871&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0