脉冲法电沉积SnS∶Ag薄膜

用脉冲电沉积技术，在ITO玻璃基片上制备了SnS∶Ag薄膜. 用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）观察了薄膜的物相结构和表面形貌，结果表明SnS∶Ag薄膜出现了新物相Ag8SnS6，结晶度好，颗粒度大. 用光电流测试研究了其导电性能，表明SnS∶Ag薄膜是p型半导体材料. 霍尔测量表明掺杂后载流子浓度增大，电阻率降低.