%0 Journal Article
%T 脉冲法电沉积SnS∶Ag薄膜
%A 杨永丽
%A 程树英
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 用脉冲电沉积技术，在ITO玻璃基片上制备了SnS∶Ag薄膜. 用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）观察了薄膜的物相结构和表面形貌，结果表明SnS∶Ag薄膜出现了新物相Ag8SnS6，结晶度好，颗粒度大. 用光电流测试研究了其导电性能，表明SnS∶Ag薄膜是p型半导体材料. 霍尔测量表明掺杂后载流子浓度增大，电阻率降低.
%K 脉冲电沉积
%K SnS∶Ag薄膜
%K 光电性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8AE0BACE24CCB8C2D9FB6A534E1772C8&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=59906B3B2830C2C5&sid=44F7A9E2FE8EDE19&eid=DE0AF300CE67E651&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9