A novel complementary N+-charge island SOI high voltage device
一种新的互补N+-电荷岛SOI高压器件

本文提出一种新的互补n＋界面电荷岛结构的SOI高压器件（CNI SOI）及其耐压模型。该结构在SOI器件埋介质层上下界面形成等距的高浓度n＋区。当器件外加高压时，在上下界面的两个n+区间形成互补的空穴和电子电荷岛。引入的界面电荷能有效增强埋介质层电场EI，降低顶层硅电场ES，有效提高器件的击穿电压。本文详细研究CNI SOI工作机理及相关结构参数对BV的影响，在1μm介质层、5μm顶层硅上二维仿真获得731V/μm的EI 和 750V的BV，其中增强的△EI和降低的△ES分别达到641.3 V/μm和23.73V/μm。