%0 Journal Article
%T A novel complementary N+-charge island SOI high voltage device<br>一种新的互补N+-电荷岛SOI高压器件
%A Wu Lijuan
%A Hu Shengdong
%A Zhang Bo
%A Li Zhaoji
%A <br>吴丽娟
%A 胡盛东
%A 张波
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文提出一种新的互补n＋界面电荷岛结构的SOI高压器件（CNI SOI）及其耐压模型。该结构在SOI器件埋介质层上下界面形成等距的高浓度n＋区。当器件外加高压时，在上下界面的两个n+区间形成互补的空穴和电子电荷岛。引入的界面电荷能有效增强埋介质层电场EI，降低顶层硅电场ES，有效提高器件的击穿电压。本文详细研究CNI SOI工作机理及相关结构参数对BV的影响，在1μm介质层、5μm顶层硅上二维仿真获得731V/μm的EI 和 750V的BV，其中增强的△EI和降低的△ES分别达到641.3 V/μm和23.73V/μm。
%K Complement
%K Charge islands
%K Interface charges
%K Dielectric buried layer
%K Breakdown voltage<br>互补，电荷岛，界面电荷，介质层，击穿电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0A6677795DCA8CD645EBE4847783A77A&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=BE4DEE49C4C91DE2&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0