Optimization and Application of SRAM in 90nm CMOS Technology
90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用

提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭状态及隔离逻辑引入SR SRAM从而构成LPSR SRAM.将优化的LPSR SRAM64K×32应用到SoC中,并对LPSR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6mm×5.6mm,功耗为1997mW.测试结果表明:LPSR SRAM64K×32功耗降低了17.301%,每个晶圆上的LPSRSRAM64K×32成晶率提高了13.255%.