%0 Journal Article
%T Optimization and Application of SRAM in 90nm CMOS Technology<br>90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用
%A Zhou Qingjun
%A Liu Hongxia
%A <br>周清军
%A 刘红侠
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭状态及隔离逻辑引入SR SRAM从而构成LPSR SRAM.将优化的LPSR SRAM64K×32应用到SoC中,并对LPSR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6mm×5.6mm,功耗为1997mW.测试结果表明:LPSR SRAM64K×32功耗降低了17.301%,每个晶圆上的LPSRSRAM64K×32成晶率提高了13.255%.
%K optimization
%K LPSR SRAM
%K redundancy logic
%K power on/off states<br>优化
%K 低功耗自我修复SRAM
%K 冗余逻辑
%K 电源开启/关闭状态
%K optimization
%K LPSR
%K SRAM
%K redundancy
%K logic
%K power
%K on/off
%K states
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=97B4581AD3DCE71FD1EEEC17C3911037&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=94C357A881DFC066&sid=899CC9158FC43EF4&eid=68BCD01D0D745EB3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16