Fabrication and characterization of an AlGaN/PZT detector
AlGaN/PZT探测器的研制及其性能

本文报道了一种新型紫外红外应用的探测器的设计、制备及其性能。探测器由蓝宝石衬底上生长的p-GaN/i-GaN/n-Al0.3Ga0.7N/SiO2/LaNiO3/PZT/Pt多层结构组成。分别测量了紫外和红外的性能。紫外部分，光谱响应范围在302-363nm波段；在波长355nm，探测器零偏响应率为0.064A/W；I-V测量表明零偏暗电流为-1.57×10-12A；该探测器的探测率为1.81×1011cmHz1/2W-1。红外部分，在波长4μm处，探测器响应率为1.58×105cmHz1/2W-1。