%0 Journal Article
%T Fabrication and characterization of an AlGaN/PZT detector<br>AlGaN/PZT探测器的研制及其性能
%A Zhang Yan
%A Sun Jinglan
%A Wang Nili
%A Han Li
%A Liu Xiangyang
%A Li Xiangyang
%A Meng Xiangjian
%A <br>张燕
%A 孙璟兰
%A 王妮丽
%A 韩莉
%A 刘向阳
%A 李向阳
%A 孟祥建
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文报道了一种新型紫外红外应用的探测器的设计、制备及其性能。探测器由蓝宝石衬底上生长的p-GaN/i-GaN/n-Al0.3Ga0.7N/SiO2/LaNiO3/PZT/Pt多层结构组成。分别测量了紫外和红外的性能。紫外部分，光谱响应范围在302-363nm波段；在波长355nm，探测器零偏响应率为0.064A/W；I-V测量表明零偏暗电流为-1.57×10-12A；该探测器的探测率为1.81×1011cmHz1/2W-1。红外部分，在波长4μm处，探测器响应率为1.58×105cmHz1/2W-1。
%K AlGaN/PZT
%K dual-band detector
%K UV/IR
%K responsivity
%K detectivity<br>AlGaN/PZT
%K 双波段探测器
%K UV/IR
%K 响应率
%K 探测率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DDC0EDA4964C3C4CB19087014B57D4AF&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=59906B3B2830C2C5&sid=1BFFE7F7FF348B93&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0