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半导体学报 2010
Temperature coefficients of grain boundary resistance variations in a ZnO/p-Si heterojunction
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Abstract:
使用磁控反应溅射技术在Si(100)衬底上异质外延未掺杂的ZnO薄膜。制备得到的一些样品分别在氮气800°(S1)和氧气800°(S2)的条件下退火1个小时。对所有的样品进行了深能级瞬态谱(DLTS)和电流-电压(I-V)的测量。我们发现S1的晶界电阻具有正温度系数(PTC),而S2的晶界电阻具有负温度系数(NTC)。同时，S2的电流特性类似于普通的p-n结，而S1和未退火样品的电流特性呈现出双肖特基势垒的行为，这与理想的pn异质结模型的电流特性是矛盾的。结合DLTS的结果，揭示了在不同气氛下退火，导致了ZnO晶粒中的本征缺陷浓度和ZnO/p-Si异质结中的界面态密度的不同变化，影响了ZnO/p-Si异质结中的晶界势垒，产生了可调的电学特性，这个特性也许适合不同的应用。
