%0 Journal Article
%T Temperature coefficients of grain boundary resistance variations in a ZnO/p-Si heterojunction<br>The investigation of temperature coefficients of grain boundary resistances variations in ZnO/p-Si heterojunction
%A Liu Bingce
%A Liu Cihui
%A Xu Jun
%A Yi Bo
%A <br>刘秉策
%A 刘磁辉
%A 徐军
%A 易波
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 使用磁控反应溅射技术在Si(100)衬底上异质外延未掺杂的ZnO薄膜。制备得到的一些样品分别在氮气800°(S1)和氧气800°(S2)的条件下退火1个小时。对所有的样品进行了深能级瞬态谱(DLTS)和电流-电压(I-V)的测量。我们发现S1的晶界电阻具有正温度系数(PTC),而S2的晶界电阻具有负温度系数(NTC)。同时，S2的电流特性类似于普通的p-n结，而S1和未退火样品的电流特性呈现出双肖特基势垒的行为，这与理想的pn异质结模型的电流特性是矛盾的。结合DLTS的结果，揭示了在不同气氛下退火，导致了ZnO晶粒中的本征缺陷浓度和ZnO/p-Si异质结中的界面态密度的不同变化，影响了ZnO/p-Si异质结中的晶界势垒，产生了可调的电学特性，这个特性也许适合不同的应用。
%K ZnO/p-Si heterojunction
%K grain boundary
%K temperature coefficients of grain boundary resistances
%K intrinsic defects<br>ZnO/p-Si异质结，晶界，电阻温度系数，本征缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5AF5F3EF75FE640B15D5EE2C551EB1F3&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=59906B3B2830C2C5&sid=460B48467CDF7641&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0