全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用:99美元

查看量下载量

相关文章

更多...

A 36GHz Voltage Control Oscillator in GaAs PHEMT Technology
基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器

Keywords: VCO,CPW,capacitive-source-coupled current amplifier,GaAs
压控振荡器
,共面波导,容性耦合差动电流放大器,砷化镓,GaAs,PHEMT,工艺,压控振荡器,Technology,Oscillator,功耗,单元,核心,单电源供电,芯片面积,相位噪声,单边带,调谐范围,中心频率,测试,性能,负载,电流放大器,耦合差动,容性

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

利用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调谐范围约为800MHz,在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98.83dBc/Hz.芯片面积为0.5mm×1mm,采用-5V单电源供电,核心单元功耗约为200mW.

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133