%0 Journal Article
%T A 36GHz Voltage Control Oscillator in GaAs PHEMT Technology<br>基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器
%A Qiu Yinghu
%A Wang Zhigong
%A Zhu En
%A Feng Jun
%A Xiong Mingzhen
%A Xia Chunxiao
%A <br>仇应华
%A 王志功
%A 朱恩
%A 冯军
%A 熊明珍
%A 夏春晓
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 利用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调谐范围约为800MHz,在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98.83dBc/Hz.芯片面积为0.5mm×1mm,采用-5V单电源供电,核心单元功耗约为200mW.
%K VCO
%K CPW
%K capacitive-source-coupled current amplifier
%K GaAs<br>压控振荡器
%K 共面波导
%K 容性耦合差动电流放大器
%K 砷化镓
%K GaAs
%K PHEMT
%K 工艺
%K 压控振荡器
%K Technology
%K Oscillator
%K 功耗
%K 单元
%K 核心
%K 单电源供电
%K 芯片面积
%K 相位噪声
%K 单边带
%K 调谐范围
%K 中心频率
%K 测试
%K 性能
%K 负载
%K 电流放大器
%K 耦合差动
%K 容性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=94744467D6149F04&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=38B194292C032A66&sid=CF0706A3E35031F6&eid=8966A0F1B07BE5EE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7