A new small-signal model for asymmetrical AlGaN/GaN HEMTs
一种新的兼容栅偏源结构AlGaN/GaN HEMT的小信号模型

本文提出了一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型，此模型可在20GHz以内对栅偏源结构HEMT进行精确模拟。模型中的寄生参数由零偏及截止两种偏置下的S参数来决定，本征部分采用直接提取的方式得出。本模型中的所有参数及比例系数均由器件结构决定，并不涉及任何优化算法，因而保证了模型参数值与物理意义的统一。