%0 Journal Article
%T A new small-signal model for asymmetrical AlGaN/GaN HEMTs<br>一种新的兼容栅偏源结构AlGaN/GaN HEMT的小信号模型
%A Ma Teng
%A Hao Yue
%A Chen Chi
%A Ma Xiaohua
%A <br>马腾
%A 郝跃
%A 陈炽
%A 马晓华
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文提出了一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型，此模型可在20GHz以内对栅偏源结构HEMT进行精确模拟。模型中的寄生参数由零偏及截止两种偏置下的S参数来决定，本征部分采用直接提取的方式得出。本模型中的所有参数及比例系数均由器件结构决定，并不涉及任何优化算法，因而保证了模型参数值与物理意义的统一。
%K small-signal model
%K GaN HEMT
%K parameter extraction
%K asymmetrical structure<br>小信号模型，GaN
%K HEMT，参数提取，栅偏源结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7470169BF8F2861E338A284658BEC7CF&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3D87B8A29CE460E7&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0