Neutron radiation effect on 4H-SiC MESFETs and SBDs
4H-SiC MESFET与SBD中子辐照效应的研究

本文研究了4H-SiC MESFET与Ni，Ti/4H-SiC SBD的中子辐照效应，中子归一化能量为1MeV，最高中子注量和gamma射线累积总剂量分别为1×1015n/cm2和3.3Mrad(Si)。经过1×1013n/cm2的辐照剂量后, SiC MESFET的电学特性仅有轻微的变化，Ni、Ti/4H-SiC以及SiC MESFET栅极肖特基接触的 都没有明显变化；随着辐照中子注量的进一步上升，SiC MESFET的漏极电流下降，夹断电压上升。辐照剂量达到1×1014n/cm2，夹断电压从辐照前的-12.5V上升为约-11.5V。当中子辐照注量达到2.5×1014n/cm2时，SiC MESFET栅极肖特基接触的 比辐照前有一定的下降。分析认为SiC MESFET和SBD的退化主要是由中子辐照引入的体材料损伤造成的。本文的研究表明，提高器件有源区的掺杂浓度可以提高中子辐照容限。