%0 Journal Article
%T Neutron radiation effect on 4H-SiC MESFETs and SBDs<br>4H-SiC MESFET与SBD中子辐照效应的研究
%A Zhang Lin
%A Zhang Yimen
%A Zhang Yuming
%A Han Chao
%A <br>张林
%A 张义门
%A 张玉明
%A 韩超
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文研究了4H-SiC MESFET与Ni，Ti/4H-SiC SBD的中子辐照效应，中子归一化能量为1MeV，最高中子注量和gamma射线累积总剂量分别为1×1015n/cm2和3.3Mrad(Si)。经过1×1013n/cm2的辐照剂量后, SiC MESFET的电学特性仅有轻微的变化，Ni、Ti/4H-SiC以及SiC MESFET栅极肖特基接触的 都没有明显变化；随着辐照中子注量的进一步上升，SiC MESFET的漏极电流下降，夹断电压上升。辐照剂量达到1×1014n/cm2，夹断电压从辐照前的-12.5V上升为约-11.5V。当中子辐照注量达到2.5×1014n/cm2时，SiC MESFET栅极肖特基接触的 比辐照前有一定的下降。分析认为SiC MESFET和SBD的退化主要是由中子辐照引入的体材料损伤造成的。本文的研究表明，提高器件有源区的掺杂浓度可以提高中子辐照容限。
%K silicon carbide
%K metal Semiconductor field effect transistor
%K Schottky barrier diode
%K neutron radiation<br>碳化硅，金属半导体场效应晶体管，肖特基势垒二极管，中子辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9DF3E1EDA2298D1114F75AF4B9A73374&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=98B1098695C1254A&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0