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半导体学报 2006
Infrared Spectrum of Nitrogen-Vacancy Complexes in Nitrogen-Implanted Silicon
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Abstract:
利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.
