%0 Journal Article
%T Infrared Spectrum of Nitrogen-Vacancy Complexes in Nitrogen-Implanted Silicon<br>N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱
%A Chen Hailong
%A Wang Lei
%A Ma Xiangyang
%A and Yang Deren
%A <br>陈海龙
%A 汪雷
%A 马向阳
%A 杨德仁
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.
%K silicon
%K N+ implantation
%K infrared spectroscopy
%K N-V complex<br>硅
%K N离子注入
%K 红外吸收光谱
%K 氮-空位复合体
%K 注入
%K 中氮
%K 双空位
%K 复合体
%K 红外光谱
%K Silicon
%K Complexes
%K Spectrum
%K 结构相关
%K 双氮
%K 新出现
%K 模拟计算分析
%K 理论
%K 结构模型
%K 原子
%K 增强
%K 温度升高
%K 吸收峰
%K 图谱
%K 样品
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=701B3A569363E619&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=B169842BD52221DD&eid=E477FFDBDE309A4B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16