Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs
深亚微米PDSOI nMOSFETs的短沟道效应

基于中国科学院微电子所开发的0.35μmSOI工艺制备了深亚微米PDSOI nMOSFET。根据阈值电压依赖沟道长度的测试结果阐述了决定PDSOI nMOSFET 短沟道效应的机理。研究了体偏置、漏偏置以及温度和体接触对PDSOI nMOSFET 短沟道效应的影响，发现短沟道效应依赖于体偏置、漏偏置以及体接触。浮体器件比有体接触结构的器件的反短沟道效应更严重，器件在低体偏和高漏偏下会表现出更明显的短沟道效应。