%0 Journal Article
%T Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs<br>深亚微米PDSOI nMOSFETs的短沟道效应
%A Bu Jianhui
%A Bi Jinshun
%A Song Limei
%A Han Zhengsheng
%A <br>卜建辉
%A 毕津顺
%A 宋李梅
%A 韩郑生
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 基于中国科学院微电子所开发的0.35μmSOI工艺制备了深亚微米PDSOI nMOSFET。根据阈值电压依赖沟道长度的测试结果阐述了决定PDSOI nMOSFET 短沟道效应的机理。研究了体偏置、漏偏置以及温度和体接触对PDSOI nMOSFET 短沟道效应的影响，发现短沟道效应依赖于体偏置、漏偏置以及体接触。浮体器件比有体接触结构的器件的反短沟道效应更严重，器件在低体偏和高漏偏下会表现出更明显的短沟道效应。
%K short channel effect
%K PDSOI
%K MOSFET<br>短沟道效应
%K PDSOI
%K MOSFET
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4C568A6D1ACBF010405D8479FB827891&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7B7F448A16ECB4F6&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0