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半导体学报 2008
A Novel CMOS Current Mode Bandgap Reference
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Abstract:
介绍了一个新型电流模带隙基准源，该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压（1.25V）的电压，避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大. 同时该结构消除了传统电流模带隙基准源的系统失调. 该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证. 在1.6V电源电压下，该带隙基准源输出145V的基准电压，同时消耗27μA的电流. 在不采用曲率补偿的情况下，输出基准的温度系数在30℃ 到150℃的温度范围内可以达到23ppm/℃. 在电源电压从1.6变化到3V的情况下，带隙基准源的输入电压调整率为2.1mV/V. 该带隙基准源在低频（10Hz）的电源电压抑制比为40dB. 芯片面积（不包括Pads）为0.088mm2.
