%0 Journal Article
%T A Novel CMOS Current Mode Bandgap Reference<br>一个新型CMOS电流模带隙基准源
%A Xing Xinpeng
%A Li Dongmei
%A Wang Zhihua
%A <br>幸新鹏
%A 李冬梅
%A 王志华
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 介绍了一个新型电流模带隙基准源，该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压（1.25V）的电压，避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大. 同时该结构消除了传统电流模带隙基准源的系统失调. 该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证. 在1.6V电源电压下，该带隙基准源输出145V的基准电压，同时消耗27μA的电流. 在不采用曲率补偿的情况下，输出基准的温度系数在30℃ 到150℃的温度范围内可以达到23ppm/℃. 在电源电压从1.6变化到3V的情况下，带隙基准源的输入电压调整率为2.1mV/V. 该带隙基准源在低频（10Hz）的电源电压抑制比为40dB. 芯片面积（不包括Pads）为0.088mm2.
%K CMOS
%K bandgap reference
%K current mode<br>CMOS
%K 带晾基准源
%K 电流模
%K CMOS
%K bandgap
%K reference
%K current
%K mode
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C9CFC5625F7DC2F85C20BFE32035747F&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=0522AC581E488FBF&eid=9E9FFC2CDB44A291&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8