0.9 GHz and 2.4 GHz dual-band SiGe HBT LNA
0.9GHz和2.4GHz 双频段 SiGe HBT 低噪声放大器的设计

摘要：文章提出了一款基于0.35um SiGe HBT工艺设计和实现的低噪声放大器。它分别工作在GSM 0.9GHz和WLNA 2.4GHz。利用电磁仿真发现寄生效应对电路的性能有很大的影响。在设计中充分考虑这些寄生参数的影响，SiGe HBT的双频段低噪声放大器的设计主要集中在噪声去耦电路，输入/输出匹配和放大级等的电路结构设计上。测试结果表明，电路在0.9GHz频段的增益和噪声系数分别为13dB和4.2dB，2.4GHz频段处的增益和噪声系数为16dB和3.9dB。两个频段的S11和S22都低于-10dB。在直流电压为3.5V工作时，电路的功耗为40mW。