%0 Journal Article
%T 0.9 GHz and 2.4 GHz dual-band SiGe HBT LNA<br>0.9GHz和2.4GHz 双频段 SiGe HBT 低噪声放大器的设计
%A Lu Zhiyi
%A Xie Hongyun
%A Huo Wenjuan
%A Zhang Wanrong
%A <br>路志义
%A 谢红云
%A 霍文娟
%A 张万荣
%J 半导体学报
%D 2013
%I 
%X 摘要：文章提出了一款基于0.35um SiGe HBT工艺设计和实现的低噪声放大器。它分别工作在GSM 0.9GHz和WLNA 2.4GHz。利用电磁仿真发现寄生效应对电路的性能有很大的影响。在设计中充分考虑这些寄生参数的影响，SiGe HBT的双频段低噪声放大器的设计主要集中在噪声去耦电路，输入/输出匹配和放大级等的电路结构设计上。测试结果表明，电路在0.9GHz频段的增益和噪声系数分别为13dB和4.2dB，2.4GHz频段处的增益和噪声系数为16dB和3.9dB。两个频段的S11和S22都低于-10dB。在直流电压为3.5V工作时，电路的功耗为40mW。
%K current reuse
%K dual-band
%K emitter inductor
%K EM simulation
%K SiGe HBT<br>电流复用
%K 双频段
%K 发射极电感
%K 电磁仿真
%K SiGe
%K HBT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4D6BB6A422263A4538F20D94098109F7&yid=FF7AA908D58E97FA&vid=339D79302DF62549&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D217BC2CEF130B64&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11