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半导体学报 2008
Fabrication and Characteristics of a Nano-Polysilicon Thin Film Pressure Sensor
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Abstract:
给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器，采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜，基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构，实现对外加压力的检测. 实验结果表明，当硅膜厚度75μm时，纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时，满量程（160kPa）输出为24.235mV，灵敏度为0.151mV/kPa，精度为0.59%F.S，零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃.
