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半导体学报 2008
Ohmic Contacts to n-Type Al0.6Ga0.4N for Solar-Blind Detectors
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Abstract:
研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触. 在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理，金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理. 使用高精度XRD测试样品表面特性，并对不同温度下的情况进行比较. 样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到. 670℃下90s退火得到最优ρc为3.42E-4Ω·cm2. 将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中，探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.
