%0 Journal Article
%T Ohmic Contacts to n-Type Al0.6Ga0.4N for Solar-Blind Detectors<br>日盲探测器高Al组分n-Al0.6Ga0.4N欧姆接触
%A Zhu Yanling
%A Du Jiangfeng
%A Luo Muchang
%A Zhao Hong
%A Zhao Wenbo
%A Huang Lieyun
%A Ji Hong
%A Yu Qi
%A Yang Mohua
%A <br>朱雁翎
%A 杜江锋
%A 罗木昌
%A 赵红
%A 赵文伯
%A 黄烈云
%A 姬洪
%A 于奇
%A 杨谟华
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触. 在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理，金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理. 使用高精度XRD测试样品表面特性，并对不同温度下的情况进行比较. 样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到. 670℃下90s退火得到最优ρc为3.42E-4Ω·cm2. 将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中，探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.
%K high-Al content n-AlGaN
%K ohmic contact
%K anneal
%K back-illumination
%K solar-blind p-i-n detector<br>高铝n-AlGaN
%K 欧姆接触
%K 退火
%K 背光照
%K pin日盲探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CDDF66C217A8D26F8EAA872D4E686447&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=00B387A522283F93&eid=EDB832473B2BA2DF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0