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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Fully Depleted CMOS/SOI Technology
全耗尽CMOS/SOI工艺
Liu Xinyu, Sun Haifeng, Liu Hongmin, Chen Huanzhang, Hu Huanzhang, Hai Chaohe, He Zhijing, Wu Dexin,
刘新宇, 孙海峰, 刘洪民, 陈焕章, 扈焕章, 海潮和, 和致经, 吴德馨
Keywords: fully depleted CMOS/SOI technology,nitrided thin gate oxide grown in H,2-O,2 ambient,double-gate,Ti-SALICIDE using Ge preamorphization
全耗尽CMOS/SOI工艺,氮化H2-O2合成薄栅氧,双栅,注Ge硅化物
Abstract:
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5 ps Full-Text
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