%0 Journal Article
%T Fully Depleted CMOS/SOI Technology<br>全耗尽CMOS/SOI工艺
%A Liu Xinyu
%A Sun Haifeng
%A Liu Hongmin
%A Chen Huanzhang
%A Hu Huanzhang
%A Hai Chaohe
%A He Zhijing
%A Wu Dexin
%A <br>刘新宇
%A 孙海峰
%A 刘洪民
%A 陈焕章
%A 扈焕章
%A 海潮和
%A 和致经
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5 ps
%K fully depleted CMOS/SOI technology
%K nitrided thin gate oxide grown in H
%K 2-O
%K 2 ambient
%K double-gate
%K Ti-SALICIDE using Ge preamorphization<br>全耗尽CMOS/SOI工艺
%K 氮化H2-O2合成薄栅氧
%K 双栅
%K 注Ge硅化物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4F3D9221301D5C91&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DBF54A8E2A721A6D&eid=6270DC1B5693DDAF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=14