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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Design,Fabrication,and Characterization of Dual Channel Real Space Transfer Transistors
双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量
Guo Weilian, Zhang Shilin, Liang Huilai, Qi Haitao, Mao Luhong, Niu Pingjuan, Yu Xin, Wang Wei, Wang Wenxin, Chen Hong, Zhou Junming,
郭维廉, 张世林, 梁惠来, 齐海涛, 毛陆虹, 牛萍娟, 于欣, 王伟, 王文新, 陈宏, 周均铭
Keywords: RSTT,high speed compound three terminal function device,three terminal negative resistance device,hot electron device,electron transfer device
RSTT,高速化合物三端功能器件,三端负阻器件,热电子器件,电子转移器件
Abstract:
采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用. Full-Text
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