%0 Journal Article
%T Design,Fabrication,and Characterization of Dual Channel Real Space Transfer Transistors<br>双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量
%A Guo Weilian
%A Zhang Shilin
%A Liang Huilai
%A Qi Haitao
%A Mao Luhong
%A Niu Pingjuan
%A Yu Xin
%A Wang Wei
%A Wang Wenxin
%A Chen Hong
%A Zhou Junming
%A <br>郭维廉
%A 张世林
%A 梁惠来
%A 齐海涛
%A 毛陆虹
%A 牛萍娟
%A 于欣
%A 王伟
%A 王文新
%A 陈宏
%A 周均铭
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
%K RSTT
%K high speed compound three terminal function device
%K three terminal negative resistance device
%K hot electron device
%K electron transfer device<br>RSTT
%K 高速化合物三端功能器件
%K 三端负阻器件
%K 热电子器件
%K 电子转移器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EDFBF2129C4846162871616A04CD5B27&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=58F693790F887B3B&eid=12DC19455C3A2FA8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7