低温硅双极晶体管的研制与特性分析

采用多晶硅电极接触三区（发射区、基区、集电区）低掺杂同质结结构，已研制出电流增益在７７ＫｈＦＥ＝２２０—２９７；在６．２ＫｈＦＥ＝１２．３；在１０ＫｈＦＥ＝２１．７，β＝４２的低温双极晶体管．本文还用隧穿机理推导出ｈＦＥ（Ｔ）的新的表示式，很好地解释了这种器件的ｈＦＥ温度特性、Ｇｕｍｍｅｌ特性和ｈＦＥ－Ｉｃ特性．