%0 Journal Article
%T 低温硅双极晶体管的研制与特性分析
%A 郑云光
%A 郭维廉
%A 李树荣
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 采用多晶硅电极接触三区（发射区、基区、集电区）低掺杂同质结结构，已研制出电流增益在７７ＫｈＦＥ＝２２０—２９７；在６．２ＫｈＦＥ＝１２．３；在１０ＫｈＦＥ＝２１．７，β＝４２的低温双极晶体管．本文还用隧穿机理推导出ｈＦＥ（Ｔ）的新的表示式，很好地解释了这种器件的ｈＦＥ温度特性、Ｇｕｍｍｅｌ特性和ｈＦＥ－Ｉｃ特性．
%K 双极晶体管
%K 低温
%K 研制
%K 特性分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D39C6CFC140A0D0B&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=B75DC817262E20A8&eid=7B927C26AC9ED104&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3