ESR Study of B-doped a.Si:H(B) Thin Films prepared by Reactive-Sputtering
反应溅射法制备掺硼的a—Si:H(B)薄膜的ESR研究

我们应用反应溅射法制备了掺硼的a-Si:H薄膜和a-SiB:H合金薄膜。掺硼浓度(Y_g=B_2H_6]/(Ar]十H_2]))由10~(-6)到10~(-2)变化。研究发现,ESR信号为g_1=2.0051和g_2=2.0096两部分的叠加,前者代表Si的悬挂键Si_3~0信号,后者是由于掺B而引起的自旋信号。随着Y_g的增大,g_2由2.0090变化到2.0096,其峰一峰宽度△H_(2??)由20.5G展宽到26.0G;而g_1值和其△H_(1??)没有明显的变化。Y_g增大,两种缺陷态密度都有所增大,但g_1信号代表的B致缺陷态密度增加较快。在重掺B(Y_g≥10~(-2))的情况下,材料的性质与上述行为截然不同,出现了合金效应