%0 Journal Article
%T ESR Study of B-doped a.Si:H(B) Thin Films prepared by Reactive-Sputtering<br>反应溅射法制备掺硼的a—Si:H(B)薄膜的ESR研究
%A Chen Guanghua/Research Institute of Electronic Materials
%A <br>陈光华
%A 徐进章
%A 张仿清
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 我们应用反应溅射法制备了掺硼的a-Si:H薄膜和a-SiB:H合金薄膜。掺硼浓度(Y_g=B_2H_6]/(Ar]十H_2]))由10~(-6)到10~(-2)变化。研究发现,ESR信号为g_1=2.0051和g_2=2.0096两部分的叠加,前者代表Si的悬挂键Si_3~0信号,后者是由于掺B而引起的自旋信号。随着Y_g的增大,g_2由2.0090变化到2.0096,其峰一峰宽度△H_(2??)由20.5G展宽到26.0G;而g_1值和其△H_(1??)没有明显的变化。Y_g增大,两种缺陷态密度都有所增大,但g_1信号代表的B致缺陷态密度增加较快。在重掺B(Y_g≥10~(-2))的情况下,材料的性质与上述行为截然不同,出现了合金效应
%K Reactive Sputtering
%K Eleciron Spin Resonace(ESR)
%K B-dopsed a-Si:H<br>反应溅射
%K 电子自旋共振
%K 掺硼的非晶硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=209482B34EDC6078A5324D49952862B3&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=F5956B5D26BCB2A8&eid=158793AD8125C377&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0