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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Effect of Structure on Raman Spectra in Cu(In,Ga)3Se5 Thin Films
Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究
Xu Chuanming, Xu Xiaoliang, Xu Jun, Yang Xiaojie, Zuo Jian, Dang Xueming, Feng Ye, Huang Wenhao, Liu Hongtu,
徐传明, 许小亮, 徐军, 杨晓杰, 左健, 党学明, 冯叶, 黄文浩, 刘洪图
Keywords: Cu(In,Ga),3Se,5,ordered defect compounds,lattice vibration,Raman scattering
Cu(In,Ga)3Se5,有序缺陷化合物,晶格振动,Raman散射
Abstract:
讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与Cu-Ga3Se5A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子Se位移参数的增加,相应改变了Cu-Se以及In/Ga-Se的键长及其键拉伸力学常数,从而影响了A1模式峰位的移动 Full-Text
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