%0 Journal Article
%T Effect of Structure on Raman Spectra in Cu(In,Ga)3Se5 Thin Films<br>Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究
%A Xu Chuanming
%A Xu Xiaoliang
%A Xu Jun
%A Yang Xiaojie
%A Zuo Jian
%A Dang Xueming
%A Feng Ye
%A Huang Wenhao
%A Liu Hongtu
%A <br>徐传明
%A 许小亮
%A 徐军
%A 杨晓杰
%A 左健
%A 党学明
%A 冯叶
%A 黄文浩
%A 刘洪图
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与Cu-Ga3Se5A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子Se位移参数的增加,相应改变了Cu-Se以及In/Ga-Se的键长及其键拉伸力学常数,从而影响了A1模式峰位的移动
%K Cu(In
%K Ga)
%K 3Se
%K 5
%K ordered defect compounds
%K lattice vibration
%K Raman scattering<br>Cu(In
%K Ga)3Se5
%K 有序缺陷化合物
%K 晶格振动
%K Raman散射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A77EFE0EFB4097A7&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=708DD6B15D2464E8&sid=828C17AB7A0B20B4&eid=83F3E1555B654B95&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=12