Reaction of Hydrogen with Neutron-Irradiation-Induced Defects in Crystalline Silicon
单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用

对 NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火 ,采用 Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律 .利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及 NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化 ,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨 .实验证实 NTD氢区熔单晶硅在 15 0～ 6 5 0℃范围内等时退火具有显著特点 :在 5 0 0℃下退火 ,出现电阻率极小值 ,即出现浓度很高的过量浅施主 ;P型向 N型转变温度为 4 0 0℃ ,迁移率恢复温度为 5 0 0℃ ,载流子恢复温度为 6 0 0℃ ,均明显低于 NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流