%0 Journal Article
%T Reaction of Hydrogen with Neutron-Irradiation-Induced Defects in Crystalline Silicon<br>单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用
%A Wang Qiyuan
%A Lin Lanying
%A Wang Jianhua
%A Deng Huifang
%A Tan Liwen
%A Wang Jun
%A Cai Tianhai
%A Yu Yuanhuan
%A <br>王启元
%A 林兰英
%A 王建华
%A 邓惠芳
%A 谭利文
%A 王俊
%A 蔡田海
%A 郁元桓
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 对 NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火 ,采用 Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律 .利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及 NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化 ,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨 .实验证实 NTD氢区熔单晶硅在 15 0～ 6 5 0℃范围内等时退火具有显著特点 :在 5 0 0℃下退火 ,出现电阻率极小值 ,即出现浓度很高的过量浅施主 ;P型向 N型转变温度为 4 0 0℃ ,迁移率恢复温度为 5 0 0℃ ,载流子恢复温度为 6 0 0℃ ,均明显低于 NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流
%K neutron irradiation
%K annealing
%K defects in silicon<br>中子辐照
%K 退火
%K 辐照缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AAF1A4A0A2FC1DFA&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=BE33CC7147FEFCA4&eid=B6DA1AC076E37400&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10