1.3μm AlInGaAs Strained Single Quantum Well Laser Diodes with High Characteristic Temperature of 200K
200K高特征温度的1.3μm AlInGaAs应变单量子阱激光器

在20-80℃范围内连续工作条件下,非对称波导层结构的1.3μm AlInGaAs/AlInAs单量子阱激光器的特征温度为200K,这是目前国内报道的相同有源材料、相同发射波长的激光器中最高的特征温度值。因此AlInGaAs是长波长光纤激光器的理想有源区材料，研究表明非对称波导结构能降低光吸收,提高激光器的高温特性和COD阈值。