%0 Journal Article
%T 1.3μm AlInGaAs Strained Single Quantum Well Laser Diodes with High Characteristic Temperature of 200K<br>200K高特征温度的1.3μm AlInGaAs应变单量子阱激光器
%A Wang Yuxi
%A Liu Chunling
%A Lu Peng
%A Wang Yong
%A Qu Yi
%A Liu Guojun
%A <br>王玉霞
%A 刘春玲
%A 芦鹏
%A 王勇
%A 曲轶
%A 刘国军
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 在20-80℃范围内连续工作条件下,非对称波导层结构的1.3μm AlInGaAs/AlInAs单量子阱激光器的特征温度为200K,这是目前国内报道的相同有源材料、相同发射波长的激光器中最高的特征温度值。因此AlInGaAs是长波长光纤激光器的理想有源区材料，研究表明非对称波导结构能降低光吸收,提高激光器的高温特性和COD阈值。
%K semiconductor LDs
%K AlInGaAs
%K characteristic temperature
%K threshold current
%K asymmetric waveguide layer<br>半导体激光器
%K AlInGaAs
%K 特征温度
%K 阔值电流
%K 非对称波导层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7A57C997202C51B401D5F8165F47F250&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E1E3BF53C3583450&eid=E1BA6CA93A8F9A6A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12