应变Si1-xGex/Si Δi能谷附近色散关系的KP理论推导

基于对称性分析，应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex（0≤x＜0．45）／（001），（111），（101）Si的△^能谷附近的色散关系．结果证明：应变Sil一，Ge，中的△^i能级大小不同于弛豫Si1-xGex的△1能级，而二者的横向、纵向有效质量（m1^＊，mt^＊）相同．△^i和△1能级之差由形变势理论确定．最后，描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征．