%0 Journal Article
%T 应变Si1-xGex/Si Δi能谷附近色散关系的KP理论推导
%A 宋建军
%A 张鹤鸣
%A 舒斌
%A 胡辉勇
%A 戴显英
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 基于对称性分析，应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex（0≤x＜0．45）／（001），（111），（101）Si的△^能谷附近的色散关系．结果证明：应变Sil一，Ge，中的△^i能级大小不同于弛豫Si1-xGex的△1能级，而二者的横向、纵向有效质量（m1^＊，mt^＊）相同．△^i和△1能级之差由形变势理论确定．最后，描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征．
%K KP法
%K 导带
%K 应变硅锗
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=58CD881B812870C452020CAA54BDCC6C&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=38B194292C032A66&sid=D98387EFB283C5E0&eid=BD7D27247C63490C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7