OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用:99美元
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Analysis of Optical Gain Spectra in GaAs/AlGaAs Graded-Index Separate-Confinement Single Quantum Well Structures GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析
Zheng Baozhen/Institute of Semiconductors, Academia Sinica, BeijingXu Jizong/Institute of Semiconductors, Academia Sinica, BeijingWang Liming/Institute of Semiconductors, Academia Sinica, BeijingXu Zongying/Institute of Semiconductors, Academia Sinica, BeijingZhu Longde/Institute of Semiconductors, Academia Sinica, Beijing, 郑宝真, 许继宗, 王丽明, 徐仲英, 朱龙德
Keywords: GaAs,AlGaAs,Graded index,Quantum well,Optical gain spectra GaAs,AlGaAs,梯度折射率,量子阱,增益光谱
Abstract:
对不同阱宽的梯度折射率分别限制单量子阱激光器进行了TE、TM模的光增益谱测量对于阱宽大于120A的激光器,发射光谱和光增益谱都出现双峰,分别是由n=1和n=2的子带跃迁所造成,激光振荡出现在n=2的子带跃迁。随着阱宽减小,n=1子带跃迁的饱和增益增加,使激光振荡能在n=1子带发生,而n=2子带的受激就需要比原来更大的注入才有可能。材料增益随阱宽减小呈超线性地增加,从而降低了n=1子带受激的最小腔长。因此,用较窄的量子阱(≤100A),高的端面反射率和尽可能短的腔长,就能得到很低的阈电流。TE和TM模增益谱的不同,使激光器在一定阱宽和腔损耗下具有不同的TE和TM激射波长。
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