%0 Journal Article
%T Analysis of Optical Gain Spectra in GaAs/AlGaAs Graded-Index Separate-Confinement Single Quantum Well Structures<br>GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析
%A Zheng Baozhen/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A BeijingXu Jizong/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A BeijingWang Liming/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A BeijingXu Zongying/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A BeijingZhu Longde/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A Beijing
%A <br>郑宝真
%A 许继宗
%A 王丽明
%A 徐仲英
%A 朱龙德
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 对不同阱宽的梯度折射率分别限制单量子阱激光器进行了TE、TM模的光增益谱测量对于阱宽大于120A的激光器,发射光谱和光增益谱都出现双峰,分别是由n=1和n=2的子带跃迁所造成,激光振荡出现在n=2的子带跃迁。随着阱宽减小,n=1子带跃迁的饱和增益增加,使激光振荡能在n=1子带发生,而n=2子带的受激就需要比原来更大的注入才有可能。材料增益随阱宽减小呈超线性地增加,从而降低了n=1子带受激的最小腔长。因此,用较窄的量子阱(≤100A),高的端面反射率和尽可能短的腔长,就能得到很低的阈电流。TE和TM模增益谱的不同,使激光器在一定阱宽和腔损耗下具有不同的TE和TM激射波长。
%K GaAs
%K AlGaAs
%K Graded index
%K Quantum well
%K Optical gain spectra<br>GaAs
%K AlGaAs
%K 梯度折射率
%K 量子阱
%K 增益光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E853F3753C0D46BC9FC3097BE64DD2D5&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B941678158018439&eid=9BA67A0B76A3DBA8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0