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Keywords: MOS结构,慢界面态,微观机理,MOS器件
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通过测量高频C-V迟滞曲线研究了MOS电容中慢界面态的特性.发现金属化后退火(PMA)前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级,但PMA后完全消失;相反,FowlerNordheim高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央.并探讨了这些慢态的微观机理.
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