%0 Journal Article
%T MOS结构中的两类慢界面态
%A 高文钰
%A 严荣良
%A 大西一功
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 通过测量高频Ｃ－Ｖ迟滞曲线研究了ＭＯＳ电容中慢界面态的特性．发现金属化后退火（ＰＭＡ）前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级，但ＰＭＡ后完全消失；相反，ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央．并探讨了这些慢态的微观机理．
%K MOS结构
%K 慢界面态
%K 微观机理
%K MOS器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C95319D4D066E0E5&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=5D311CA918CA9A03&sid=D647AF4730396036&eid=44E78A5D1B37D836&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4