%0 Journal Article
%T LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析
%A 唐本奇
%A 罗晋生
%A 耿斌
%A 李国政
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文提出了一种新型的内置ＦＲ／ＪＴＥ横向ＤＭＯＳ结构，并对其进行了耐压分析，结果表明，该结构具有与ＲＥＳＵＲＦ器件相媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，相对于内场限环结构，其耐压高且导通电阻低，因而不失为一种较为实用的提高横向功率器件耐压的新途径
%K LDMOS晶体管
%K 结构
%K LDMOST
%K 耐压分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DA8BCC55AEF36D21&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=FE17D37BFC90FA6B&eid=EEAFC972BAD75B1F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3