用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究

在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观测,量子阱的阱宽和过渡层的厚度分别为160A和30A。在10K和77K光致发光谱测量中,我们观察到n=1的子能级上电子到重、轻空穴带很强的自由激子跃迁峰,两峰间隔为8.3meV,在低温条件下光致发光谱的半高宽度为20meV。